主要特点

• 显示半导体器件的各种特性曲线
• 测量半导体器件静态参数
• 测量半导体器件极限参数
• 双极型晶体管双簇显示

主要技术指标

• Y轴集电极电流范围(IC)：10μA/div～0.5A/div分15档，误差不超过±5%
• 二极管反向漏电流(IR)：0.2μA/div～5μA/div分5档
• IR accuracy：2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%
• X轴集电极电压范围(Vce)：0.1V/div～50V/div分9档，误差不超过±5%
• 基极电压范围(Vbe)：0.1V/div～5V/div分6档，误差不超过±5%
• 阶梯电流范围：阶梯电流范围0.1μA/级～50mA/级 分18档，1μA/级～50mA/级 误差不超过±5%，0.1μA/级～0.5μA/级 误差不超过±7%
• 阶梯电压范围：0.05V//级～1V/级 分5档 误差不超过±5%
• 串联电阻：10Ω、10kΩ、0.1MΩ分3档 误差不超过±10%
• 校正信号：0.5Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p 误差不超过±2%（频率为市电频率）