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  • 图示仪HM6042

  • 产品编号:00712
  • 产品名称:图示仪
  • 产品型号:HM6042
  • 订货编号:
  • 市 场 价:¥17500.00
  • 促 销 价:
  • 状    态:
  • 产    地:德国
  • 简要参数:
    最大测试电压40V,电流200mA,4W,游标读出功能,存储功能。
  • 人    气:1293

浏览记录

产品介绍

技术规格

  • 操作简易
  • 半导体元件特性测试
  • 准确的游标对照
  • 快速容易地供元件比对
  • 参考资料记忆
  • 5轨迹屏幕显示
  • 低耗电量

特性

测试范围
三个电压档 Collector/Drain 电压≤2V,10V,40V±5%
三个电流档 Collector/Drain 电流≤2mA,20Ma,200mA±5%
三个功率档 功率≤0.04W,0.4W,4W±10%
Bas/Gate电压及电流 lb 1μA~10μA
Vb 至2V±5%
Vg 至10V±5%
精确度
静止精度  
Vc/d ±(2% o.v.+3位)
Ic/d ±(2% o.v.+3位)
lb ±(2% o.v.+3位)
Vb ±(2% o.v.+3位)
Vg ±(3% o.v.+3位)
β至1000 ±(5% o.v.+3位)
β至100000 ±[(6+0.001xβ)% o.v.+3位]
动态精度  
h11 ≤1000Ω±(12% o.v.+3位)
≥1000Ω±[(12+0.001meas.value)% o.v.+3位]
h21 ≤1000±(12% o.v.+3位)
≥1000Ω±[(12+0.001meas.value)% o.v.+3位]
y21 ≤1000mS±(12% o.v.+3位)
h/y22 ≤1000mS±(12% o.v.+3位)
杂项功能
参考测试值可储存  
游标测试功能  
单一模式 计算测试点的值
跟踪模式 两个游标定位后h/y数据测试计算
可以适用的元件 Diodes,Zener Diodes
NPN/PNP-Transistors
FET/MOS-FET(N/P-Channel)
Thyristors
显示器 2x 16-Digit,LCD配合CRT,5曲线测试结果
其他
屏幕 CRT6吋,8 x 10格 加速电压2KV 扫迹调校,在面板设置
电源 100-240VCA±10%50/60Hz
功耗 36WATT
工作温差 0°C~40°C
附件 操作说明书,电源线,插入式测试袈
基本配置
产品名称 图示仪
产品型号 HM6042
基极阶梯信号
    阶梯电流范围 Ib 1μA~10μAVb 至2V±5%Vg 至10V±5%
    阶梯电压范围 Ib 1μA~10μAVb 至2V±5%Vg 至10V±5%
Y轴偏转系数
    集电极电流范围 ≤2mA,20mA,200mA±5
X轴偏转系数
    集电极电压 ≤2V,10V,40V±5
显示特性
    显示屏幕 显示器:2×16-Digit, LCD配合CRT,5曲线测试结果
屏幕: CRT6寸,8×10格 加速电压2KV 扫迹调校,在面板设置
其它功能 测试范围:
三个功率档 功率≤0.04W, 0.4W, 4W±10%
精确度(静止精度)
Vc/d ±(2% o.v.+3 位)
Ic/d ±(2% o.v.+3 位)
Ib ±(2% o.v.+3 位)
Vb ±(2% o.v.+3 位)
Vg ±(3% o.v.+3 位
β至1000 ±(5% o.v.+3 位)
β至100000 ±[(6+0.001×β)% o.v.+3位]
精确度(动态精度)
h11 ≤1000Ω±(12%o.v.+3位)≥1000Ω±[(12+0.001meas.value)%o.v.+3位)
h21 ≤1000±(12%o.v.+3位)≥1000±[(12+0.001meas.value)% o.v.+3位)
y21 ≤1000mS±(12% o.v.+3位)
h/y22 ≤1000mS±(12% o.v.+3位)
单一模式 计算测试点的值
跟踪模式 两个游标定位后h/y数据测试计算
可以适用的元件 Diodes,Zener DiodesNPN/PNP-TransistorsFET/
附件
    标配 操作说明书、电源线、插入式测试架。
电源特性
    电压 100-240VCA±10%
    频率 50/60Hz
    功耗 36WATT
环境特性
    操作环境 工作温差 0℃~40℃
物理特性